| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSONP-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 11.8 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 998pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 29W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3.15 mm |
| 宽度 | 3 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●顶视图
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 5.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 低 Qg 和 Qgd
● 低 RDS(on)
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
●## 应用
● 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
● 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
TI（德州仪器）
13 页 / 0.67 MByte
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
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CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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