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NST65010MW6T1G
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NST65010MW6T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-363-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NST65010MW6T1G  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363
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NST65010MW6T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
针脚数6 Position
极性PNP
功耗380 mW
击穿电压(集电极-发射极)65 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数220 @2mA, 5V
额定功率(Max)380 mW
直流电流增益(hFE)0
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)380 mW
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NST65010MW6T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NST65010MW6T1G 数据手册

NST65010MW6T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
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NST65010MW6T1 数据手册

NST65010MW6T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NST65010MW6T1G  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363
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