| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 11.6 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1030pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
● 低 Qg 和 Qgd
● 低 RDS(on)
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
● 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、13.3mΩ 8-VSONP -55 to 150
TI（德州仪器）
CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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