Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSZ0909NS Datasheet 文档
BSZ0909NS
来自 AiPCBA

BSZ0909NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PowerTDFN-8
描述:34V,12mΩ,36A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSZ0909NS 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSZ0909NS 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSZ0909NS 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerTDFN-8
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间2.2 ns
输入电容值(Ciss)1700pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.1 W
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2100 mW
查看数据手册 >

BSZ0909NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
高度1.10 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

BSZ0909NS 数据手册

BSZ0909NS 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.65 MByte

BSZ0909 数据手册

BSZ0909NSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 34 V, 0.01 ohm, 10 V, 2 V
BSZ0909NS 数据手册
Infineon（英飞凌）
34V,12mΩ,36A,N沟道功率MOSFET
BSZ0909NDXTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 30 V, 0.0145 ohm, 10 V, 1.6 V
BSZ0909ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
2个N沟道 30V 20A
BSZ0909NSXT 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet