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CSD18501Q5A
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CSD18501Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-8
描述:40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18501Q5A
PDF文件:CSD18501Q5A 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
引脚图
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CSD18501Q5A 数据手册 (13 页)
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CSD18501Q5A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0025 Ω
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)40 V
漏源击穿电压40 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)3840pF @20V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间3.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta), 150W (Tc)
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CSD18501Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度5.8 mm
宽度5 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD18501Q5A 数据手册

CSD18501Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.72 MByte

CSD18501Q5 数据手册

CSD18501Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18501Q5A
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