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NTUD3170NZT5G
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NTUD3170NZT5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-963-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTUD3170NZT5G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963
PDF文件:NTUD3170NZT5G 数据手册 (2 页)
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NTUD3170NZT5G 数据手册 (2 页)
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NTUD3170NZT5G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-963-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.75 Ω
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗125 mW
阈值电压1 V
输入电容12.5 pF
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)280 mA
上升时间25.5 ns
输入电容值(Ciss)12.5pF @15V(Vds)
额定功率(Max)125 mW
下降时间80 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.2 W
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NTUD3170NZT5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.05 mm
宽度0.85 mm
高度0.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTUD3170NZT5G 数据手册

NTUD3170NZT5G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.19 MByte
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