类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | VSON-8 |
漏源极电阻 | 0.0047 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 116 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 17A |
上升时间 | 5.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 2750pF @30V(Vds) |
下降时间 | 2 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 116W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
TI(德州仪器)
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TI(德州仪器)
60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18533Q5A
TI(德州仪器)
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.9mΩ 8-VSONP -55 to 150
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