| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | UFBGA-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.056 Ω |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 750 mW |
| 阈值电压 | 800 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.6A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 410pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 750 mW |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
TI（德州仪器）
CSD75208W1015，双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015T 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV
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