| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSONP-8 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2050pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
表面贴装型 N 通道 100 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A
TI（德州仪器）
100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150
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