| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | DSBGA-4 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.2A |
| 上升时间 | 4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 512pF @6V(Vds) |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
●封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 小尺寸封装 1mm x 1mm
● 薄型，0.62mm 高度
● 无铅
● 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
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