类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-CH |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 80A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 3700pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
下降时间 | 30 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 9.35 mm |
高度 | 4.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0095欧姆 - 80A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80A TO-220/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STB75NF75LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 37.5 A, 75 V, 0.009 ohm, 15 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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