类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | DSBGA-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.0162 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 750 mW |
阈值电压 | 800 mV |
漏源极电压(Vds) | 8 V |
连续漏极电流(Ids) | 3A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 914pF @4V(Vds) |
下降时间 | 27 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 750 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1 mm |
宽度 | 1.49 mm |
高度 | 0.28 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
●### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD23203WT 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV
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