| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WSON-FET-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0199 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.9 W |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 655pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.9W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 2 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 19.9mΩ，20V P 通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 其低导通电阻，与 SON 2mm x 2mm 塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起，使得此器件成为电池供电、空间受限运行的理想选择。
●顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 43°C/W，这是在 0.060 英寸厚环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1in² 铜（2 盎司）过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低导通电阻
● 低热阻
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载管理
● 电池保护
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2
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