| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压 | 6.80 V |
| 针脚数 | 3 Position |
| 钳位电压 | 20 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.4V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 260W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 15A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Features • Double ESD protection diodes in SOT23 package • Uni-directional ESD protection of up to two lines • Max. peak pulse power: Ppp = 330 W at tp = 8/20 µs • Low clamping voltage: V(CL)R = 20 V at Ipp = 18 A • Ultra-low reverse leakage current: IRM < 700 nA • ESD protection > 23 kV • IEC 61000-4-2; level 4 (ESD) • IEC 61000-4-5 (surge); Ipp = 18 A at tp = 8/20 µs 描述与应用| 特性 •双SOT23封装ESD保护二极管 •单向ESD保护可至双线 •最大峰值脉冲功率：Ppp=330 W@tp= 8/20μs •低钳位电压：V（CL）R =20 V Ipp=18Å •超低反向漏电流：IRM<700 nA •ESD保护>23千伏 •IEC61000-4-2第4级（ESD） •IEC61000-4-5（浪涌），Ipp=18 A@tp= 8/20μs
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.11 MByte
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.47 MByte
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.11 MByte
Nexperia（安世）
5.2V,单向,Cd=152pF(Typ),(8KV接触, 15KV空隙放电）
NXP（恩智浦）
NXP PESD5V2S2UT 静电保护装置, TVS, 20 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP### 瞬态电压抑制器，NXP
Nexperia（安世）
静电保护装置, TVS, 20 V, SOT-23, 3 引脚
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
