| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.075 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
| 上升时间 | 3.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 189pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 6.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.04 mm |
| 宽度 | 0.64 mm |
| 高度 | 0.35 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
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TI（德州仪器）
P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
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