类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0063 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 48 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
连续漏极电流(Ids) | 57A |
上升时间 | 38 ns |
输入电容值(Ciss) | 900pF @13V(Vds) |
额定功率(Max) | 48 W |
下降时间 | 8.9 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 48W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,12V 至 25V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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INFINEON IRLR8259PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 25 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.9 V
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MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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