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CSD75211W1723
来自 AiPCBA

CSD75211W1723 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:UFBGA-12
描述:双P通道NexFET™功率MOSFET Dual P-Channel NexFET? Power MOSFET
PDF文件:CSD75211W1723 数据手册 (8 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD75211W1723 数据手册 (8 页)
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CSD75211W1723 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数12 Pin
封装UFBGA-12
漏源极电阻0.046 Ω
极性Dual P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
上升时间4.1 ns
输入电容值(Ciss)600pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
下降时间1.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1500 mW
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CSD75211W1723 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD75211W1723 数据手册

CSD75211W1723 数据手册
TI（德州仪器）
8 页 / 0.32 MByte
CSD75211W1723 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
2 页 / 0.09 MByte
CSD75211W1723 产品修订记录
TI（德州仪器）
4 页 / 0.11 MByte

CSD75211 数据手册

CSD75211W1723 数据手册
TI（德州仪器）
双P通道NexFET™功率MOSFET Dual P-Channel NexFET? Power MOSFET
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