| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerLDFN-8 |
| 漏源极电阻 | 0.0074 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 12 W |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1255pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 12 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 12000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此CSD87351Q5D NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计方案，能够以 5 毫米 × 6 毫米的小巧外形提供高电流，高效率以及高频率性能。 该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化，可提供高度灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动配合使用时，均可提供高密度电源。
● 半桥电源块
● 20A 电流下 90% 的系统效率
● 高达32A运行
● 高频率工作（高达 1.5MHz）
● 高密度 — 无引线小外形尺寸(SON) 5 毫米 × 6 毫米封装
● 针对 5V 栅极驱动而优化
● 低开关损耗
● 超低电感封装
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 无铅终端电镀
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