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IXTP3N100D2
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IXTP3N100D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IXTP3N100D2 数据手册 (5 页)封装尺寸在2 页4 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IXTP3N100D2 数据手册 (5 页)
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IXTP3N100D2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗125 W
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)3A
上升时间67 ns
输入电容值(Ciss)1020pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125W (Tc)
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IXTP3N100D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTP3N100D2 数据手册

IXTP3N100D2 数据手册
IXYS Semiconductor
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