| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0125 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.1 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1400pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.1 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD88537ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD88537NDT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V
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