MBR20100CT-E3/4W 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:	Vishay Semiconductor（威世）
分类:	二极管阵列
封装:	TO-220-3
描述:	TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

MBR20100CT-E3/4W 数据手册 (6 页)

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MBR20100CT-E3/4W 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
正向电压	0.95 V
热阻	2℃/W (RθJC)
正向电流	10 A
最大正向浪涌电流	150 A
正向电压(Max)	800mV @10A
正向电流(Max)	20 A
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
工作结温(Max)	150 ℃

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MBR20100CT-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.54 mm
宽度	4.7 mm
高度	15.32 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃

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MBR20100CT-E3/4W 符合标准

MBR20100CT-E3/4W 数据手册

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