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MBR20100CT-E3/4W
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MBR20100CT-E3/4W 数据手册 (6 页)
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MBR20100CT-E3/4W 技术参数、封装参数

MBR20100CT-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

MBR20100CT-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
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MBR20100CTE34 数据手册

VISHAY(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
General Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
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