类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-323 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.3 Ω |
功耗 | 290 mW |
阈值电压 | 500 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
Diodes(美台)
N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. DMG1012UW 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
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