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IPB014N06N
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IPB014N06N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPB014N06N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装TO-263-7
通道数1 Channel
漏源极电阻1.2 mΩ
极性N-CH
功耗214 W
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)180A
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)7800pF @30V(Vds)
下降时间14 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 214W (Tc)
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IPB014N06N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB014N06N 数据手册

IPB014N06N 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.62 MByte
IPB014N06N 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB014N06N 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB014N06N 开发手册
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37 页 / 2.01 MByte

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