| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-26-6 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 160 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 80 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
DIODES INC. DMMT5551-7-F 双极晶体管阵列, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26
Diodes（美台）
三极管(BJT) DMMT5551S-7-F SOT-26
Micro Commercial Components（美微科）
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMMT5551S 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26
Diodes（美台）
双极晶体管阵列, 双路, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26
Diodes Zetex（捷特科）
NPN 晶体管，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc
Diodes（美台）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
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