| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 工作电压 | 4.5 V |
| 电容 | 200 pF |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压 | 6.8 V |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 0.29 W |
| 钳位电压 | 9.6 V |
| 脉冲峰值功率 | 24 W |
| 最小反向击穿电压 | 6.46 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 290 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TA) |
MMBZ6V8AL 是一款低电容单向双ESD保护二极管, 共阳极配置。该器件适用于ESD和瞬态过压保护, 可保护2条信号线路。
● 单向ESD保护
● 30kV ESD保护 (触芯放电)
● 双向静电保护, 一条线路
● IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
● <=280pF 二极管电容Cd
● 40W额定峰值脉冲功率 PPPM
● 5nA泄漏电流IRM
Nexperia（安世）
18 页 / 0.59 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V8ALT1G 单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚
Diodes（美台）
DIODES INC. MMBZ6V8AL-7-F TVS二极管, AEC-Q113, AEC-Q101 MMBZ系列, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
Nexperia（安世）
静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW, MMBZ6 Series
ON Semiconductor（安森美）
MMBZ6V8ALT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 4.5V 2.5A 0.225W/225mW SOT23-6.8V 标记6A8
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
NXP MMBZ6V8AL 静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
Nexperia（安世）
静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
ON Semiconductor（安森美）
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
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