| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 31 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 800 mW |
| 阈值电压 | 0.3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.2A |
| 上升时间 | 23.3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1357pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 106.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 800mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
表面贴装型 P 通道 4A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23
Diodes（美台）
6 页 / 0.21 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
8 页 / 0.38 MByte
Diodes（美台）
DMP1045U 系列 12 V 31 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMP1045UQ-7 SOT-23
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMP1045U 晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -0.55 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -550 mV
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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