| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 115 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 13.5 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 50.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 正向电压(Max) | 1.5 V |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 310 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 3.2Ω@ VGS = 5.0V, ID = 0.05A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1~2V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small-Signal-Transistor Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package 描述与应用| 双N沟道增强型场效应晶体管 小信号晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快吗 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装
Diodes（美台）
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Multicomp
MULTICOMP 2N7002DW-7-F 场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 60V, 4.4Ω, 115mA, SOT-363-6
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) 2N7002DW-7-G SOT-363
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