类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | DFN2015-3 |
极性 | P-CH |
功耗 | 700mW (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 12 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.5A |
上升时间 | 22 ns |
输入电容值(Ciss) | 1291pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
下降时间 | 75 ns |
耗散功率(Max) | 700mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 5.5A(Ta) 700mW(Ta) DFN2015H4-3
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
DMP1045U 系列 12 V 31 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMP1045UQ-7 SOT-23
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. DMP1045U 晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -0.55 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -550 mV
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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