类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PowerDI-3333-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.025 Ω |
极性 | P-CH |
功耗 | 2.1 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.7A |
上升时间 | 7.1 ns |
输入电容值(Ciss) | 2569pF @30V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
下降时间 | 62 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2100 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.3 mm |
宽度 | 3.3 mm |
高度 | 0.80 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
P-沟道 60 V 28 mΩ 53.1 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-223
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.7 A, -60 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMP6023LFG-13 PowerDI3333-8
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMP6023LFGQ-7 SMD
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMP6023LFGQ-13 PowerDI 3333-8
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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