| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | EMT-3F-3 |
| 额定功率 | 0.15 W |
| 输出电压 | 0.07 V |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 0.15 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 80 @5mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 250 MHz |
| 耗散功率(Max) | 150 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 表面贴装型 EMT3F（SOT-416FL）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
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