类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | P-Channel |
功耗 | 3.8 W |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 31A |
上升时间 | 66 ns |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
下降时间 | 63 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
宽度 | 6.22 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 55 V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.06ohm ,ID = -31A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF5305STRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF5305PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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