| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 6.10 V |
| 电容 | 11 pF |
| 封装 | SOT-883 |
| 额定功率 | 30.0 W |
| 击穿电压 | 6.1 V |
| 电路数 | 2 Circuit |
| 通道数 | 2 Channel |
| 脉冲峰值功率 | 30 W |
| 最小反向击穿电压 | 6.1 V |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.00 mm |
| 宽度 | 600 µm |
| 高度 | 520 µm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.1V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 30W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 3A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Dual low capacitance array for ESD protection；Features • 2 unidirectional low capacitance TRANSIL diodes • Breakdown Voltage VBR = 6.1 V min • Low diode capacitance (11 pF typ at 0 V) • Low leakage current < 0.5 µA • Very small PCB area: 0.6 mm² 描述与应用| 双低电容ESD保护阵列;特性 • 2通道单向低电容TRANSIL二极管 • 击穿电压VBR 最小 • 低电容二极管（11 pF（典型值）为0 V） • 低漏电流小于0.5μA • 非常小的PCB面积：0.6平方毫米²
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