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IXFK26N120P
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IXFK26N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFK26N120P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.5 Ω
极性N-Channel
功耗960 W
阈值电压6.5 V
漏源极电压(Vds)1.2 kV
漏源击穿电压1200 V
连续漏极电流(Ids)26A
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)14000pF @25V(Vds)
下降时间58 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)960W (Tc)
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IXFK26N120P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度19.96 mm
宽度5.13 mm
高度26.16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFK26N120P 数据手册
IXYS Semiconductor
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