| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.15 Ω |
| 功耗 | 208 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
TE Connectivity（泰科）
TE CONNECTIVITY / CII FCB-205-0224M 功率继电器, DPDT-2CO, 28VDC, 5A, 法兰安装
TE Connectivity（泰科）
通用继电器 RELAY DPDT 5A 48VDC HERM
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
TE Connectivity（泰科）
TE CONNECTIVITY / CII FCB-205-0226M FCB-205-0226M=M83536/2-026M 88W3131 新
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
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