| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.108 Ω |
| 功耗 | 216 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2520pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 216 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 216 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 20.82 mm |
SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。
●与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
●这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH25N60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH25N60N, 25 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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