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FCMT125N65S3
来自 AiPCBA

FCMT125N65S3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:PQFN
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.5 V
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FCMT125N65S3 数据手册
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FCMT125N65S3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装PQFN
针脚数4 Position
漏源极电阻0.1 Ω
功耗181 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)1920pF @400V(Vds)
下降时间5.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)181000 mW

FCMT125N65S3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)

FCMT125N65S3 数据手册

FCMT125N65S3 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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FCMT125N65 数据手册

FCMT125N65S3 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.5 V
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