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FDB1D7N10CL7 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
封装:
TO-263-7
描述:
FDB1D7N10CL7: 功率 MOSFET，N 沟道，Standard Gate，100 V，268 A，1.7 mΩ
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDB1D7N10CL7 数据手册
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FDB1D7N10CL7 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
7 Pin
封装
TO-263-7
功耗
250 W
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
8285pF @50V(Vds)
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3800 mW
FDB1D7N10CL7 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
FDB1D7N10CL7 符合标准
FDB1D7N10CL7 概述
表面贴装型 N 通道 268A（Tc） 250W（Tc） D²PAK（TO-263）
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FDB1D7N10CL7
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ON Semiconductor（安森美）
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FDB1D7N10 数据手册
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ON Semiconductor（安森美）
FDB1D7N10CL7: 功率 MOSFET，N 沟道，Standard Gate，100 V，268 A，1.7 mΩ
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