| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.079 Ω |
| 功耗 | 227 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 227 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
ON Semiconductor 650V SuperFET III系列具有卓越的性能, 超结MOSFET专为高功率密度应用设计。
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晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.079 ohm, 10 V, 4.5 V
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