| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.159 Ω |
| 功耗 | 144 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1350pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 144000 mW |
通孔 N 通道 650 V 17A（Tc） 144W（Tc） TO-220-3
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.7 MByte
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor（安森美）
18 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor（安森美）
19 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.3 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N65F, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.159 ohm, 10 V, 4.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
FCP190N65S3R0: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET III，Easy Drive，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
