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FCU900N60Z
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FCU900N60Z 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCU900N60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:FCU900N60Z 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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FCU900N60Z 数据手册 (10 页)
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FCU900N60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-251-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.82 Ω
极性N-Channel
功耗52 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
上升时间5.3 ns
输入电容值(Ciss)710pF @25V(Vds)
额定功率(Max)52 W
下降时间11.9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)52W (Tc)
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FCU900N60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度6.8 mm
宽度2.5 mm
高度6.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FCU900N60Z 数据手册

FCU900N60Z 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.79 MByte
FCU900N60Z 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.59 MByte

FCU900N60 数据手册

FCU900N60Z 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCU900N60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V
FCU900N60Z 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCU900N60Z, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
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