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FD200R12KE3HOSA1
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FD200R12KE3HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:62MM-1
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
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FD200R12KE3HOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数5 Pin
封装62MM-1
功耗1.05 kW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)14nF @25V
额定功率(Max)1050 W
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)1050000 mW
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FD200R12KE3HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 125℃
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FD200R12KE3HOSA1 数据手册

FD200R12KE3HOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
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