| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | AG-62MM-1 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 14nF @25V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 200 A 底座安装 模块
Infineon（英飞凌）
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62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
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