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FDA38N30
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FDA38N30 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA38N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 300 V, 0.07 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FDA38N30 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
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FDA38N30 数据手册 (8 页)
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FDA38N30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.07 Ω
极性N-Channel
功耗312 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
连续漏极电流(Ids)38A
上升时间110 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)312 W
下降时间54 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)312W (Tc)
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FDA38N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.2 mm
宽度5 mm
高度18.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDA38N30 数据手册

FDA38N30 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 1.14 MByte
FDA38N30 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
53 页 / 1.78 MByte
FDA38N30 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.62 MByte
FDA38N30 产品描述及参数
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.21 MByte
FDA38N30 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.51 MByte

FDA38 数据手册

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