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STY60NK30Z
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STY60NK30Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STY60NK30Z 数据手册 (8 页)原理图在1 页
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STY60NK30Z 数据手册 (8 页)
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STY60NK30Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流60.0 A
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.033 Ω
极性N-Channel
功耗450 W
阈值电压3.75 V
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间90 ns
输入电容值(Ciss)7200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)450 W
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)450W (Tc)
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STY60NK30Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.9 mm
宽度5.3 mm
高度20.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STY60NK30Z 数据手册

STY60NK30Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.18 MByte
STY60NK30Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.18 MByte
STY60NK30Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
30 页 / 0.31 MByte

STY60NK30 数据手册

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