类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 280 V |
额定电流 | 75.0 A |
封装 | TO-3-3 |
漏源极电阻 | 41.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 520W (Tc) |
输入电容 | 6.70 nF |
栅电荷 | 144 nC |
漏源极电压(Vds) | 280 V |
漏源击穿电压 | 280 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
输入电容值(Ciss) | 6700pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 520W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
280V N沟道MOSFET 280V N-Channel MOSFET
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