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FQP2P40
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FQP2P40 数据手册 (8 页)
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FQP2P40 技术参数、封装参数

FQP2P40 外形尺寸、物理参数、其它

FQP2P40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.58 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
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FQP2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP27P06  晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP22N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 300 V, 160 mohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N90  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 900 V, 5.6 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP27P06 系列 60 V 0.07 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP20N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP20N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQP20N06 系列 60 V 0.07 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率Mosfet - TO-220-3
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