类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 3 Pin |
封装 | D2PAK-263 |
上升时间 | 159 ns |
输入电容值(Ciss) | 3000pF @25V(Vds) |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 175000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 60 V 15A(Ta) 175W(Tc) TO-263AB
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB070AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB070AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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