| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0068 Ω |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1760pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor（安森美）
18 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.07 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB7030BL 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FDB7030BLS N沟道场效应管 30v 56A TO263AB 代码 FDB7030BL
ON Semiconductor（安森美）
FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB
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