| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 60 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB7030BL 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷
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N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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FDB7030BLS N沟道场效应管 30v 56A TO263AB 代码 FDB7030BL
ON Semiconductor（安森美）
FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB
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