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FDB150N10
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FDB150N10 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V ， 57A ， 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ
PDF文件:FDB150N10 数据手册 (8 页)
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FDB150N10 数据手册 (8 页)
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FDB150N10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗110 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)57A
上升时间164 ns
输入电容值(Ciss)4760pF @25V(Vds)
额定功率(Max)110 W
下降时间83 ns
耗散功率(Max)110W (Tc)
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FDB150N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDB150N10 数据手册

FDB150N10 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.49 MByte
FDB150N10 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte

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